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剖析LED芯片在運用常遇到的問(wèn)題

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??? ? 1.正向電壓下降 暗光

  A:一種是電極與發(fā)光資料為歐姆觸摸,但觸摸電阻大,首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。

  B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸,首要發(fā)生在芯片電極制備進(jìn)程中蒸騰第一層電極時(shí)的擠壓印或夾印,散布方位。

  別的封裝進(jìn)程中也能夠形成正向壓下降,首要緣由有銀膠固化不充分,支架或芯片電極沾污等形成觸摸電阻大或觸摸電阻不穩定。

  正向壓下降的芯片在固定電壓測驗時(shí),經(jīng)過(guò)芯片的電流小,然后體現暗點(diǎn),還有一種暗光表象是芯片自身發(fā)光功率低,正向壓降正常。

  2.難壓焊:(首要有打不粘,電極掉落,打穿電極)

  A:打不粘:首要因為電極外表氧化或有膠

  B:有與發(fā)光資料觸摸不牢和加厚焊線(xiàn)層不牢,其間以加厚層掉落為主。

  C:打穿電極:通常與芯片資料有關(guān),資料脆且強度不高的資料易打穿電極,通常GAALAS資料(如高紅,紅外芯片)較GAP資料易打穿電極,

  D:壓焊調試應從焊接溫度,超聲波功率,超聲時(shí)刻,壓力,金球巨細,支架定位等進(jìn)行調整。

  3.發(fā)光色彩區別:

  A:同一張芯片發(fā)光色彩有顯著(zhù)區別首要是因為外延片資料疑問(wèn),ALGAINP四元素資料選用量子布局很薄,成長(cháng)是很難確保各區域組分共同。(組分決議禁帶寬度,禁帶寬度決議波長(cháng))。

  B:GAP黃綠芯片,發(fā)光波長(cháng)不會(huì )有很大誤差,可是因為人眼對這個(gè)波段色彩靈敏,很簡(jiǎn)單查出偏黃,偏綠。因為波長(cháng)是外延片資料決議的,區域越小,呈現色彩誤差概念越小,故在M/T作業(yè)中有附近選取法。

  C:GAP赤色芯片有的發(fā)光色彩是偏橙黃色,這是因為其發(fā)光機理為直接躍進(jìn)。受雜質(zhì)濃度影響,電流密度加大時(shí),易發(fā)生雜質(zhì)能級偏移和發(fā)光飽滿(mǎn),發(fā)光是開(kāi)端變?yōu)槌赛S色。

  4.閘流體效應:

  A:是發(fā)光二極管在正常電壓下無(wú)法導通,當電壓加高到必定程度,電流發(fā)生驟變。

  B:發(fā)生閘流體表象緣由是發(fā)光資料外延片成長(cháng)時(shí)呈現了反向夾層,有此表象的LED在IF=20MA時(shí)測驗的正向壓降有躲藏性,在運用進(jìn)程是出于南北極電壓不行大,體現為不亮,可用測驗信息儀器從晶體管圖示儀測驗曲線(xiàn),也能夠經(jīng)過(guò)小電流IF=10UA下的正向壓降來(lái)發(fā)現,小電流下的正向壓降顯著(zhù)偏大,則能夠是該疑問(wèn)所形成的。

  5.反向漏電:

  A:緣由:外延資料,芯片制造,器材封裝,測驗通常5V下反向漏電流為10UA,也能夠固定反向電流下測驗反向電壓。

  B:不一樣類(lèi)型的LED反向特性相差大:普綠,普黃芯片反向擊穿可到達一百多伏,而普芯片則在十幾二十伏之間。

  C:外延形成的反向漏電首要由PN結內部布局缺點(diǎn)所形成的,芯片制造進(jìn)程中旁邊面腐蝕不行或有銀膠絲沾附在測面,嚴禁用有機溶液分配銀膠。以避免銀膠經(jīng)過(guò)毛細表象爬到結區
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